11:00 〜 11:15 [14a-315-6] 電子線照射によりホモエピタキシャル成長n型GaN中に形成される深い準位 〇堀田 昌宏1、成田 哲生2、加地 徹3、上杉 勉2、須田 淳1 (1.京大院工、2.豊田中研、3.名大)