16:15 〜 16:30 [16p-512-8] 角度分解トポグラフィーと局所ロッキングカーブ法によるAlイオン注入SiC基板の歪状態の観察-X線侵入深さ依存性― 〇高橋 由美子1、平野 馨一1、志村 考功2、長町 信治3 (1.KEK-PF、2.⼤阪⼤院⼯、3.(株)⻑町サイエンスラボ)