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[14p-B6-1~15] 13.10 化合物太陽電池

2017年3月14日(火) 13:15 〜 17:15 B6 (B6)

△：奨励賞エントリー
▲：英語発表
▼：奨励賞エントリーかつ英語発表
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13:15 〜 13:30

▲ [14p-B6-1] Bandgap Engineering of Sol-Gel Synthesized Zn_1−xMg_xO films as Electron-Transporting
Layers for PbS Colloidal Quantum Dot Solar Cells

〇(D)DING CHAO^1,6、Zhang Yaohong¹、Hayase Shuzi^2,5、Ogomi Yuhei²、Toyoda Taro^1,5、Yoshino Kenji^3,5、Minemoto Takashi^4,5 (1.Univ. Electro-Commun.、2.Kyushu Inst. Tech.、3.Univ. Miyazaki、4.Ritsumeikan Univ.、5.CREST JST、6.CSC)

13:30 〜 13:45

[14p-B6-2] GaSb/GaAs量子ナノ構造太陽電池における赤外量子効率スペクトル

〇玉置亮¹、庄司靖¹、岡田至崇¹ (1.東大先端研)

13:45 〜 14:00

[14p-B6-3] InP/InGaP量子ドット太陽電池における開放電圧の温度依存性

〇(PC)相原健人¹、太野垣健¹、長門優喜²、岡野好伸²、菅谷武芳¹ (1.産総研、2.東京都立大学)

14:00 〜 14:15

[14p-B6-4] InAs/GaAs量子ドット超格子中間バンド型太陽電池特性の
ミニバンド形成の効果

〇平尾和輝¹、朝日重雄¹、海津利行¹、喜多隆¹ (1.神戸大工)

14:15 〜 14:30

[14p-B6-5] AlGaAs母体中のInAs量子ドット構造における室温赤外吸収観察

〇吉川弘文^1,2,3、渡邉克之^1,2、小谷晃央^1,2,3、北澤田鶴子³、岩本敏^1,2、和泉真³、荒川泰彦^1,2 (1.東大ナノ量子機構、2.東大生研、3.シャープ)

14:30 〜 14:45

[14p-B6-6] GaSb/AlGaAs中間バンド型太陽電池における量子ナノ構造形状の影響

〇庄司靖¹、玉置亮¹、岡田至崇¹ (1.東大先端研)

14:45 〜 15:00

[14p-B6-7] 多重量子井戸太陽電池のキャリア回収モデル

〇トープラサートポンカシディット¹、渡辺健太郎¹、中野義昭¹、杉山正和¹ (1.東大工)

15:15 〜 15:30

[14p-B6-8] 平坦光散乱基板による薄膜GaAs太陽電池の光吸収増強

〇齋均¹、水野英範¹、牧田紀久夫¹、松原浩司¹ (1.産総研)

15:30 〜 15:45

△ [14p-B6-9] 1 eV帯InGaAs:N δドープ超格子の作製

〇(M1)梅田峻平¹ (1.埼玉大院理工研)

15:45 〜 16:00

[14p-B6-10] InGaP/GaAs/Si 3接合セルにおけるBonding界面抵抗評価

〇重川直輝¹、梁剣波¹ (1.大阪市大工)

16:00 〜 16:15

[14p-B6-11] 表面活性化ボンディング法によるGaAs/ITO/Si接合のアニール温度依存性

〇原智也¹、小川智輝¹、梁剣波¹、荒木健次²、神岡武文²、重川直輝¹ (1.大阪市大工、2.豊田工大)

16:15 〜 16:30

[14p-B6-12] 常温で表面活性化接合したSi/GaAs界面の原子・電子構造

〇大野裕¹、吉田秀人²、竹田精治²、梁剣波³、重川直輝³ (1.東北大金研、2.阪大産研、3.大阪市大)

16:30 〜 16:45

[14p-B6-13] エピタキシャルリフトオフにより分離したGaAs基板上の堆積物分析

〇(M1C)中田達也¹、渡辺健太郎²、ソダーバンルハサネット²、木村大希¹、宮下直也²、杉山正和¹、岡田至崇^1,2、中野義昭^1,2 (1.東大院工、2.東大先端研)

16:45 〜 17:00

△ [14p-B6-14] ヘテロ成長により作製したSi基板上III-V-N太陽電池構造のエピタキシャルリフトオフ

〇山根啓輔¹、佐藤健人¹、関口寛人¹、岡田浩²、若原昭浩¹ (1.豊橋技科大院・工、2.豊橋技科大EIIRIS)

17:00 〜 17:15

△ [14p-B6-15] 実太陽光集光下での4接合太陽電池の変換効率

〇(M1)安島由朗¹、金子大和¹、加藤芳紀¹、仲村友希¹、定免良太¹、庄子敬宏¹、馬場圭右¹、代盼²、陆书龙²、内田史朗¹ (1.千葉工大、2.蘇州ナノテク)

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▲ [14p-B6-1] Bandgap Engineering of Sol-Gel Synthesized Zn_1−xMg_xO films as Electron-Transporting
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[14p-B6-3] InP/InGaP量子ドット太陽電池における開放電圧の温度依存性

[14p-B6-4] InAs/GaAs量子ドット超格子中間バンド型太陽電池特性の
ミニバンド形成の効果

[14p-B6-5] AlGaAs母体中のInAs量子ドット構造における室温赤外吸収観察

[14p-B6-6] GaSb/AlGaAs中間バンド型太陽電池における量子ナノ構造形状の影響

[14p-B6-7] 多重量子井戸太陽電池のキャリア回収モデル

[14p-B6-8] 平坦光散乱基板による薄膜GaAs太陽電池の光吸収増強

△ [14p-B6-9] 1 eV帯InGaAs:N δドープ超格子の作製

[14p-B6-10] InGaP/GaAs/Si 3接合セルにおけるBonding界面抵抗評価

[14p-B6-11] 表面活性化ボンディング法によるGaAs/ITO/Si接合のアニール温度依存性

[14p-B6-12] 常温で表面活性化接合したSi/GaAs界面の原子・電子構造

[14p-B6-13] エピタキシャルリフトオフにより分離したGaAs基板上の堆積物分析

△ [14p-B6-14] ヘテロ成長により作製したSi基板上III-V-N太陽電池構造のエピタキシャルリフトオフ

△ [14p-B6-15] 実太陽光集光下での4接合太陽電池の変換効率

認証

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▲ [14p-B6-1] Bandgap Engineering of Sol-Gel Synthesized Zn1−xMgxO films as Electron-TransportingLayers for PbS Colloidal Quantum Dot Solar Cells

△ [14p-B6-9] 1 eV帯InGaAs:N δドープ超格子の作製

△ [14p-B6-14] ヘテロ成長により作製したSi基板上III-V-N太陽電池構造のエピタキシャルリフトオフ

△ [14p-B6-15] 実太陽光集光下での4接合太陽電池の変換効率

認証

▲ [14p-B6-1] Bandgap Engineering of Sol-Gel Synthesized Zn_1−xMg_xO films as Electron-Transporting
Layers for PbS Colloidal Quantum Dot Solar Cells