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[14p-E205-1~14] 13.7 ナノ構造・量子現象

3.11と13.7のコードシェアセッションあり

2017年3月14日(火) 13:45 〜 17:30 E205 (E205)

岡本創(NTT)、井原章之(京大)

△：奨励賞エントリー
▲：英語発表
▼：奨励賞エントリーかつ英語発表
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13:45 〜 14:00

▼ [14p-E205-1] Analysis on Optically-detected Electron Spin Resonance
in Single Self-Assembled Quantum Dots

〇(D)Fong CheeFai^1,3、Chekhovich Evgeny⁴、Ulhaq Ata⁴、Skolnick Maurice⁴、Ota Yasutomo^2,3、Iwamoto Satoshi^1,2,3、Arakawa Yasuhiko^1,2,3 (1.Inst. of Industrial Science、2.Nanoquine、3.Univ. of Tokyo、4.Univ. of Sheffield)

14:00 〜 14:15

[14p-E205-2] GaNナノワイヤを用いた高出力LED作製に向けた検討

〇軒村恭平¹、栗崎湧気¹、上山智¹、竹内哲也¹、岩谷素顕¹、赤崎勇^1,2 (1.名城大、2.名古屋大)

14:15 〜 14:30

[14p-E205-3] PbS量子ドットの面方位の揃った完全超格子の実現

〇藤本智士¹、末続文正¹、向井剛輝¹ (1.横浜国大院工)

14:30 〜 14:45

[14p-E205-4] 配置制御の為のPbS量子ドットのシリカコーティングによるサイズ拡大

〇奥村勲¹、丹羽慶輔¹、向井剛輝¹ (1.横浜国大院工)

14:45 〜 15:00

[14p-E205-5] 全Si製可動式マイクロ光共振器を用いたPbS量子ドットの発光制御

〇中塚裕斗¹、柴田慧¹、伊海雅和²、向井剛輝^1,2 (1.横浜国大院工、2.横浜国大理工)

15:00 〜 15:15

[14p-E205-6] X線マイクロビームを用いた窒化物系単一ナノワイヤ上Ga_1-xIn_xN/GaN量子井戸の構造評価

〇(M1)清木良麻¹、澁谷弘樹¹、今井康彦²、隅谷和嗣²、木村滋²、岩瀬航平¹、宮嶋孝夫¹、上山智¹、今井大地¹、竹内哲也¹、岩谷素顕¹、赤崎勇¹ (1.名城大理工、2.高輝度光科学研)

15:15 〜 15:30

△ [14p-E205-7] KFMを用いたInAs量子ドット表面近傍のバンド解析

〇(M2)小林知弘¹、高林紘¹、下村憲一¹、Zhang Yuwei¹、山田郁彦¹、神谷格¹ (1.豊田工大)

15:45 〜 16:00

[14p-E205-8] 変質処理によりInを導入させたGaAsナノワイヤの発光特性

〇中野真理菜¹、合田拓矢¹、碇哲雄¹、西岡康平²、石川史太郎²、福山敦彦¹ (1.宮崎大工、2.愛媛大工)

16:00 〜 16:15

[14p-E205-9] ZnOのポーラスアルミナ上への析出

〇塚瀬成久¹、平浩行¹、森下義隆¹ (1.農工大工)

16:15 〜 16:30

[14p-E205-10] GaAs基板へのポーラスアルミナマスクパターンの転写

〇十亀真依¹、中村匠¹、森下義隆¹ (1.東京農工大工)

16:30 〜 16:45

[14p-E205-11] アルミニウムの磁場印加陽極酸化

〇久島裕資¹、木村潤¹、森下義隆¹ (1.東京農工大工)

16:45 〜 17:00

[14p-E205-12] 有機無機複合系ZnTeナノシート超格子の構造および光物性

〇(M2)草加健太¹、松石清人¹ (1.筑波大数物)

17:00 〜 17:15

[14p-E205-13] GaAs基板中のドーパント原子の選択性:自作NMR装置による観察

坂井祐大¹、池田宏輔¹、〇佐々木進²、長竹桃子²、戸丸有沙²、西田宏樹² (1.新潟大自然、2.新潟大工)

17:15 〜 17:30

[14p-E205-14] InAs量子ドット周辺の歪み制御によるGaAs表面からのテラヘルツ電磁波発生波長の長波長化

〇小島磨¹、和泉亮¹、喜多隆¹ (1.神戸大院工)

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in Single Self-Assembled Quantum Dots

[14p-E205-2] GaNナノワイヤを用いた高出力LED作製に向けた検討

[14p-E205-3] PbS量子ドットの面方位の揃った完全超格子の実現

[14p-E205-4] 配置制御の為のPbS量子ドットのシリカコーティングによるサイズ拡大

[14p-E205-5] 全Si製可動式マイクロ光共振器を用いたPbS量子ドットの発光制御

[14p-E205-6] X線マイクロビームを用いた窒化物系単一ナノワイヤ上Ga_1-xIn_xN/GaN量子井戸の構造評価

△ [14p-E205-7] KFMを用いたInAs量子ドット表面近傍のバンド解析

[14p-E205-8] 変質処理によりInを導入させたGaAsナノワイヤの発光特性

[14p-E205-9] ZnOのポーラスアルミナ上への析出

[14p-E205-10] GaAs基板へのポーラスアルミナマスクパターンの転写

[14p-E205-11] アルミニウムの磁場印加陽極酸化

[14p-E205-12] 有機無機複合系ZnTeナノシート超格子の構造および光物性

[14p-E205-13] GaAs基板中のドーパント原子の選択性:自作NMR装置による観察

[14p-E205-14] InAs量子ドット周辺の歪み制御によるGaAs表面からのテラヘルツ電磁波発生波長の長波長化

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▼ [14p-E205-1] Analysis on Optically-detected Electron Spin Resonancein Single Self-Assembled Quantum Dots

△ [14p-E205-7] KFMを用いたInAs量子ドット表面近傍のバンド解析

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