一般セッション(口頭講演)
6 薄膜・表面 » 6.3 酸化物エレクトロニクス
09:00 〜 09:15
野口 和馬1、久原 良平1、松尾 陽樹1、畑本 正浩1、〇奈良 安雄1 (1.兵庫県立大)
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09:15 〜 09:30
〇(D)VishnuRadhan Aswin1、Kozuka Yusuke1、Uchida Masaki1、Falson Joseph2、Tsukazaki Astushi3、Kawasaki Masashi1 (1.Univ. Tokyo、2.Max Plank Institute、3.Tohoku Univ.)
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09:30 〜 09:45
Yong He1、長島 一樹1、高橋 綱己1、Zhang Guozhu1、金井 真樹1、寺尾 潤2、内田 健3、〇柳田 剛1 (1.九大先導研、2.東大総合、3.慶大理工)
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09:45 〜 10:00
〇西野 隆太郎1、打田 正輝1、小塚 裕介1、岩佐 義宏1,2、川﨑 雅司1,2 (1.東大院工、2.理研CEMS)
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10:00 〜 10:15
〇(B)辻 佳秀1、Wei TingTing1、神吉 輝夫1、田中 秀和1 (1.阪大産研)
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10:15 〜 10:30
〇高橋 竜太1,2、リップマー ミック1 (1.東大物性研、2.JSTさきがけ)
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10:45 〜 11:00
〇山原 弘靖1、関 宗俊1、足立 真輝1、高橋 雅尚1、那須 英和1、堀場 弘司2、組頭 広志2、田畑 仁1 (1.東大院工、2.高エネ研PF)
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11:00 〜 11:15
〇山原 弘靖1、三橋 啓多1、関 宗俊1、田畑 仁1 (1.東大院工)
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11:15 〜 11:30
〇(B)三橋 啓多1、山原 弘靖1、田中 裕行2、田畑 仁1 (1.東大工、2.阪大産研究)
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11:30 〜 11:45
荒木 真人1、梶田 博樹1、柳瀬 隆1、島田 敏宏1、〇長浜 太郎1 (1.北大工)
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11:45 〜 12:00
〇赤澤 孝徳1、大橋 祥平1、松山 裕貴1、小山 智之1、王 春1、張 琦1、宋 華平1、永田 知子1、山本 寛1、岩田 展幸1 (1.日大理工)
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12:00 〜 12:15
〇平戸 剛志1、隅田 貴士1、橋本 浩佑1、福井 慎二郎1、柳原 康宏1、永田 知子1、山本 寛1、岩田 展幸1 (1.日大理工)
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