一般セッション(口頭講演)
6 薄膜・表面 » 6.3 酸化物エレクトロニクス
13:30 〜 13:45
〇上所 寛典1、賈 軍軍1、中村 新一1、重里 有三1 (1.青山学院大学)
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13:45 〜 14:00
〇(PC)Kumara Rosantha1、Sakata Osami1、Ishikawa Kyohei2,3、Kohara Shinji1、Hiramatsu Hidenori2,3、Hosono Hideo2,3、Kamiya Toshio2,3 (1.NIMS/SPring-8、2.MSL Tokyo Tech、3.MCES Tokyo Tech)
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14:00 〜 14:15
〇(B)古山 実季1、市村 正也1 (1.名工大)
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14:15 〜 14:30
〇(B)梅村 将成1、市村 正也1 (1.名工大)
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14:30 〜 14:45
赤間 翔太1、〇小林 航1,2,3、丹羽 秀治1,2,3、守友 浩1,2,3 (1.筑波大数理物質科学研究科、2.筑波大数理物質系、3.筑波大数理物質融合科学セ)
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14:45 〜 15:00
〇小林 航1,2,3、天羽 薫1、守友 浩1,2,3 (1.筑波大数理物質科学研究科、2.筑波大数理物質系、3.筑波大数理物質融合科学セ)
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15:00 〜 15:15
〇福住 勇矢1、小林 航1,2,3、守友 浩1,2,3 (1.筑波大数理物質科学研究科、2.筑波大数理物質系、3.筑波大数理物質融合科学セ)
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15:15 〜 15:30
〇丹羽 秀治1,2,3、高地 雅光1、岡本 淳4、Wu Wen-Bin4、Huang Di-Jing4、守友 浩1,2,3 (1.筑波大数理物質科学研究科、2.筑波大数理物質系、3.筑波大数理物質融合科学セ、4.NSRRC)
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15:30 〜 15:45
〇吉尾 里司1、槙 孝一郎1 (1.住友金属鉱山)
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15:45 〜 16:00
〇池田 稔1、大野 隆央1、三石 和貴1、稲熊 宜之2、舩山 耕生2、森 大輔2 (1.物材機構、2.学習院大理)
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