[14a-213-1~12] 6.4 薄膜新材料

[14a-213-4] 単層化合物半導体で発生する光第二高調波の基板における干渉効果

菊地 悠平¹、〇宮内 良広²、森下 亮¹、田中 正俊¹、大野 真也¹、鈴木 隆則^2,1 (1.横国大工、2.防衛大応物)

キーワード：単層遷移金属ダイカルコゲナイド、光第二高調波発生

本研究では90 nmと270 nmの厚みの酸化膜層で覆われたSi(001)基板に数層TX₂を転写し、SHG顕微像観察、試料回転角依存性の観測を通じて、奇数層が単結晶であることを確認したのち、単層TX₂のSHGスペクトルを取得した。その結果、SHGスペクトルの形状は酸化膜厚みに依存して変化しており、酸化膜でのSHG光の多重反射を反映することが分かった。