[14a-213-1~12] 6.4 薄膜新材料

[14a-213-5] PLD法によるアンチペロブスカイト型酸化物Ca₃SnO薄膜の作製

〇簑原 誠人¹、湯川 龍¹、組頭 広志¹ (1.高エネ研)

キーワード：アンチペロブスカイト酸化物

近年、アンチペロブスカイト型酸化物A₃BOにおけるDiracコーンの存在が理論計算により予言され、新たなDirac電子系の候補物質として注目されている。A₃BOがDirac電子系であることを実証するためには、角度分解光電子分光測定による電子状態評価が必要不可欠である。そのため、清浄かつ高品質なエピタキシャル薄膜表面が必要となるが、これまでA₃BO薄膜の報告例は非常に少ない。そこで本研究では、A₃BO薄膜の１つであるCa₃SnO薄膜の作製条件最適化を行ったので、その結果について報告する。