[14a-311-1~12] 12.2 評価・基礎物性

[14a-311-8] GISAXSによるペンタセン製膜中の表面形態評価 (I)

〇広沢 一郎¹、渡辺 剛¹、小金澤 智之¹、吉本 則之² (1.高輝度光科学研究セ、2.岩手大理工)

キーワード：有機半導体、表面形態、X線散乱

ペンタセン薄膜の製膜中の表面形態を微小角入射X線小角散乱（Grazing-Incidence Small Angle X-ray Scattering: GISAXS）を用いて有機薄膜の表面形態の変化を調べた。換算膜厚1.0 nm以下の製膜初期においては面内方向の波数0.003 nm^-1付近に試料面法線方向に延びる散乱が観測された。換算膜厚が2.5 nm以上では0.02 nm^-1付近にも同様の散乱が現れた。蒸着量が増すに従い、後者の散乱強度は増加する一方、前者には低下が観測された。それぞれの散乱強度の脱出角依存性より前者は平面的、後者は3次元的な構造的特徴を有することが示唆された。