[14a-315-1~8] 13.8 Compound and power electron devices and process technology

[14a-315-2] Removal of damaged layer from n-GaN surface using photoelectrochemical reactions

〇Satoru Matsumoto¹, Masaaki Edamoto¹, Yusuke Kumazaki¹, Taketomo Sato¹ (1.RCIQE Hokkaido Univ.)

Keywords:GaN

窒化物半導体の加工にはプラズマを利用したドライプロセスが主に用いられるが、加工ダメージがデバイス特性の劣化を招くことが報告されている。そこで、低損傷プロセスである光電気化学(PEC)反応を利用してドライプロセスで導入されたダメージの除去を試みた。