[14a-315-1~8] 13.8 化合物及びパワー電子デバイス・プロセス技術

[14a-315-2] 光電気化学反応を利用したn-GaN表面ダメージ層の除去

〇松本 悟¹、枝元 将彰¹、熊崎 祐介¹、佐藤 威友¹ (1.北大量集センター)

キーワード：窒化ガリウム

窒化物半導体の加工にはプラズマを利用したドライプロセスが主に用いられるが、加工ダメージがデバイス特性の劣化を招くことが報告されている。そこで、低損傷プロセスである光電気化学(PEC)反応を利用してドライプロセスで導入されたダメージの除去を試みた。