[14a-315-1~8] 13.8 化合物及びパワー電子デバイス・プロセス技術

[14a-315-7] Mgイオン注入によりGaN中に発生する電子準位の電気的評価

〇(M1)横田 直茂¹、赤澤 正道¹ (1.北大量子集積エレ研)

キーワード：GaN、Mgイオン注入

Mgイオン注入は、GaN中にp形領域を形成する手段として利便性に優れた方法であるが、一般にはドーパントの活性化率が非常に低く、その原因について明らかになっていない。イオン注入により発生する欠陥準位がキャリアを補償している可能性も考えられるが、電気的特性測定により調べた例はない。本報告においては、結晶成長による欠陥の少ない自立基板上のGaNエピタキシャル成長層にMgイオン注入を行い、熱処理前の電気的特性測定から準位の同定を試みた結果を報告する。