[14a-315-1~8] 13.8 化合物及びパワー電子デバイス・プロセス技術

[14a-315-8] イオン注入法による窒化物半導体の電気的特性の制御と集積回路への応用の検討

〇岡田 浩¹、関口 寛人¹、上月 誠也¹、山根 啓輔¹、若原 昭浩¹ (1.豊橋技科大)

キーワード：窒化物半導体、イオン注入、集積回路

p-GaNに対してSiのイオン注入による電気的特性の制御を試みるとともに、窒化物半導体の集積回路への展開を検討した。