[14a-318-1~9] 15.5 Group IV crystals and alloys

[14a-318-1] Influence on morphology and strain of covering Ge quantum dots or Si cap layer with carbon

〇Makoto Arita¹, Yuhki Itoh^2,3, Tomoyuki Kawashima², Katsuyoshi Washio² (1.Tohoku Univ., 2.Grad. Sch. Eng., Tohoku Univ., 3.JSPS Research Fellow DC)

Keywords:germanium, quantum dot, carbon

カーボン(C)媒介によるc(4×4)表面再構成を利用したSi(100)基板上のGe量子ドット(QD)の形成を検討してきた。Ge QDの光学応用には、Siキャップ層の形成やGe QDの積層が必要であるが、表面再構成の際の高温処理がQDの肥大化やキャップ層の形状変化を誘起する。本報告ではGe QD上とSiキャップ上にCを堆積し、表面形状と格子歪への熱処理の影響を検討した。