[14a-318-1~9] 15.5 IV族結晶，IV-IV族混晶

[14a-318-1] Ge量子ドットとSiキャップ層の形状と歪へのカーボン被覆の影響

〇有田 誠¹、伊藤 友樹^2,3、川島 知之²、鷲尾 勝由² (1.東北大工、2.東北大院工、3.学振特別研究員DC)

キーワード：ゲルマニウム、量子ドット、カーボン

カーボン(C)媒介によるc(4×4)表面再構成を利用したSi(100)基板上のGe量子ドット(QD)の形成を検討してきた。Ge QDの光学応用には、Siキャップ層の形成やGe QDの積層が必要であるが、表面再構成の際の高温処理がQDの肥大化やキャップ層の形状変化を誘起する。本報告ではGe QD上とSiキャップ上にCを堆積し、表面形状と格子歪への熱処理の影響を検討した。