[14a-411-1~10] 13.9 Optical properties and light-emitting devices

[14a-411-10] XAFS Analysis of Crystal Structures in Ce-doped Phosphors.

〇Nobuaki Nagao¹, Mitsuru Nitta¹, Taku Hirasawa¹, Yasuhisa Inada¹ (1.Panasonic)

Keywords:Phosphor, Nitride, XAFS

Ce³⁺による4f-5d 遷移の真空中の発光波長は深紫外領域であり、可視域の発光を実現するためには結晶配位子場により4f-5d 遷移を大きくレッドシフトさせる必要がある。我々は、新規材料設計を行うために詳細なメカニズムを明らかにする目的でXAFSによるCe³⁺ドープ蛍光体の配位構造の解析を行った。