[14a-412-1~12] 6.2 カーボン系薄膜

△ [14a-412-2] 広視野高感度表面磁気計測に向けた高配向NVセンタデルタドープ薄膜の形成

〇中島 誠人^1,2、石綿 整¹、岩崎 孝之^1,2、波多野 睦子^1,2 (1.東工大、2.CREST)

キーワード：NVセンタ

細胞などの大きな観測対象を二次元的に計測する顕微NMR/MRIの実現には、高配向・高密度なNVセンタデルタドープ層を表面近傍全面に形成することが重要である。今回、ステップ高さ数ナノメートルの高配向高密度なNVセンタデルタドープ薄膜を全面に形成した。​全面に形成された高配向デルタドープ薄膜において、高いスピンコヒーレンス特性を得ることでNMR/MRI計測への応用が期待できる。