[14a-412-1~12] 6.2 カーボン系薄膜

△ [14a-412-7] イオン注入法によって作製したNVセンター近傍の欠陥のナノスケール磁気共鳴測定

〇春山 盛善^1,2、小野田 忍²、加田 渉¹、磯谷 順一³、寺地 徳之⁴、山野 颯⁵、川原田 洋⁵、大島 武²、花泉 修¹ (1.群馬大、2.量研機構、3.筑波大、4.物材機構、5.早大)

キーワード：NVセンター

ダイヤモンド中のNVセンターは、その優れた磁気光学特性から量子コンピューターや量子センサーとしての応用が期待されている。イオン注入によるNVセンター形成の課題として、周囲にコヒーレンスを乱す欠陥が残存してしまうことが挙げられる。そのため、NVセンターの周囲にどの程度欠陥が残存しているかを調べることが重要となる。本研究ではNVセンター近傍の欠陥を、パルス光検出磁気共鳴法を用いて測定した結果について報告する。