[14a-414-1~8] 6.6 プローブ顕微鏡

△ [14a-414-1] 原子間力顕微鏡による単原子の元素識別

〇小野田 穣^1,2、Ondracek Martin³、Jelinek Pavel³、杉本 宜昭^1,2 (1.東大新領域、2.阪大院工、3.ASCR)

キーワード：原子間力顕微鏡、元素識別、半導体

我々は原子間力顕微鏡による化学結合力測定を用いることによって、これまでにSi表面上のIV族半導体元素の識別に成功した。しかし、IV族に対して電気陰性度差が大きなAlやOに対して従来法が適用できないこと分かった。そこで、本研究ではより適用範囲の広い元素識別法の開発を試みた。我々は電気陰性度が大きく異なる元素同士に対しても普遍的な関係が現れることを発見し、これを利用した適用範囲の広い元素識別法を提案する。