[14a-414-1~8] 6.6 プローブ顕微鏡

△ [14a-414-7] 放射光STMにおける元素コントラストへの放出電子の影響評価
ー放出電子の試料電圧依存性測定―

〇齊戸 智之^1,2、齋藤 彰^1,2、坪井 健祥^1,2、疋田 侑也^1,2、玉作 賢治²、石川 哲也²、桑原 裕司^1,2 (1.阪大院工、2.理研/SPring-8)

キーワード：STM、放射光、半導体

我々は放射光STMを用いて、実空間・ナノスケールでの元素識別、及びX線と表面原子の相互作用分析を行ってきた。硬X線が探針電流を変化させる機構は、DOS変化の他に熱膨張やEmission（光電子及び二次電子）などが挙げられるが、特にEmissionの放出特性については、探針-試料間距離100 nm以上の非トンネル状態でしか調べられていない。そこで、今回探針-試料間距離数nmで​Emission電流の試料電圧依存性を測定し、元素コントラストへの影響を調査した。