[14a-419-1~10] 6.3 酸化物エレクトロニクス

△ [14a-419-4] MoO_x/Al₂O₃CBRAMの繰返しスイッチ過程におけるCu移動の直接観察

平田 周一郎¹、〇石川 竜介¹、福地 厚¹、有田 正志¹、高橋 庸夫¹、工藤 昌輝²、松村 晶² (1.北大院情報、2.九大超顕微セ)

キーワード：抵抗変化型メモリ、TEMその場観察