2017年第64回応用物理学会春季学術講演会

講演情報

一般セッション(口頭講演)

10 スピントロニクス・マグネティクス » 10.3 スピンデバイス・磁気メモリ・ストレージ技術

[14a-501-1~11] 10.3 スピンデバイス・磁気メモリ・ストレージ技術

10.1と10.2と10.3と10.4のコードシェアセッションあり

2017年3月14日(火) 09:00 〜 12:00 501 (501)

塩田 陽一(産総研)

10:00 〜 10:15

[14a-501-5] Magnetic tunnel junctions with a Li-substituted MgAl2O4 barrier

Scheike Thomas1、Sukegawa Hiroaki1、Mitani Seiji1,2 (1.NIMS、2.Univ. Tsukuba)

キーワード:MTJ, spinel, TMR

In this study, the occurence of coherent tunneling in a magnetic tunnel junction with a Li-substituted MgAl2O4 (LixMg1-2xAl2+xO4) barrier and Fe electrodes is shown. We choose Li as a substitution element in MgAl2O4 because it is the lightest alkali metal in the periodic table and it is able to form stable spinel oxides due to its small ionic radius (i.e. Li0.5Al2.5O5).
The XRD analysis confirmed an epitaxial growth with (001) orientation for both the bottom- and top- Fe electrodes, revealing an epitaxial growth of the Li-substituted MgAl2O4 barrier. Local minima in the differential conductance spectra and a weak temperature dependence of the resistance in the parallel magnetization state suggest the existence of coherent tunneling in the devices.