2017年第64回応用物理学会春季学術講演会

講演情報

一般セッション(口頭講演)

10 スピントロニクス・マグネティクス » 10.3 スピンデバイス・磁気メモリ・ストレージ技術

[14a-501-1~11] 10.3 スピンデバイス・磁気メモリ・ストレージ技術

10.1と10.2と10.3と10.4のコードシェアセッションあり

2017年3月14日(火) 09:00 〜 12:00 501 (501)

塩田 陽一(産総研)

10:45 〜 11:00

[14a-501-7] Large magnetoresistance effect in magnetic tunnel junctions with a Cu(In0.8Ga0.2)Se2 barrier with a low resistance-area product

向山 広記1、増田 啓介1、葛西 伸哉1,2、高橋 有紀子1、Cheng Pohang1,3、Ikhtiar Ikhtiar1,3、三浦 良雄1,4、大久保 忠勝1、三谷 誠司1,3、宝野 和博1,3 (1.物質・材料研究機構、2.理化学研究所、3.筑波大学、4.京都工芸大学)

キーワード:Magnetoresistance effect, Semiconsuctor, Heusler alloy