[14a-502-1~10] 21.1 Joint Session K

△ [14a-502-10] Stoichiometry control for groeth of ε-Ga₂O₃ by mist CVD method

〇(M2)Daisuke Tahara¹, Hiroyuki Nishinaka¹, Masahiro Yoshimoto¹ (1.Kyoto Inst. Tech.)

Keywords:Gallium Oxide, mist CVD, Hetero epitaxy

本研究ではε-Ga₂O₃ に注目し、ミストCVD法によるAlN (0001)テンプレート基板上へのヘテロエピタキシャル成長を行った。溶液モル濃度0.005～0.05 Mの範囲における表面モフォロジーをSEMとAFMにより観察した。Gaリッチ条件では、薄膜表面において三次元結晶粒が観察されたが、GaとOの原料供給量の調整により、三次元結晶粒は観察されなくなった。これはミストCVD法によってストイキオメトリーな反応条件を実現したことによるものと推察される。