[14a-502-1~10] 21.1 合同セッションＫ 「ワイドギャップ酸化物半導体材料・デバイス」

△ [14a-502-10] ミストCVD法によるε-Ga₂O₃成長のストイキオメトリー制御

〇(M2)田原 大祐¹、西中 浩之¹、吉本 昌広¹ (1.京工繊大)

キーワード：酸化ガリウム、ミストCVD、ヘテロエピタキシー

本研究ではε-Ga₂O₃ に注目し、ミストCVD法によるAlN (0001)テンプレート基板上へのヘテロエピタキシャル成長を行った。溶液モル濃度0.005～0.05 Mの範囲における表面モフォロジーをSEMとAFMにより観察した。Gaリッチ条件では、薄膜表面において三次元結晶粒が観察されたが、GaとOの原料供給量の調整により、三次元結晶粒は観察されなくなった。これはミストCVD法によってストイキオメトリーな反応条件を実現したことによるものと推察される。