[14a-502-1~10] 21.1 Joint Session K

△ [14a-502-3] Heteroepitaxial growth of β-Ga₂O₃:Si (100) films on MgO (100) substrates

〇Ryo Wakabayashi¹, Mai Hattori¹, Kohei Yoshimatsu¹, Akira Ohtomo^1,2 (1.Tokyo Tech., Dept. Chem. Sci. Eng., 2.MCES)

Keywords:Gallium Oxide, PLD

β-Ga₂O₃は大きなバンドギャップを有することから，パワーデバイスや深紫外センサーへの応用が期待されている．β-Ga₂O₃のエピ成長においては主にα-Al₂O₃ (0001) 基板が用いられているが，大きな格子不整合・準安定相形成のため高品質化には高温条件が必要である．我々は低温条件での高品質β-Ga₂O₃:Si薄膜の作製に向け，より格子不整合が小さいMgO (100) 基板上へのエピ成長を検討した．本公演ではβ-Ga₂O₃:Si薄膜の結晶性と電気特性について報告する．