[14a-502-1~10] 21.1 合同セッションＫ 「ワイドギャップ酸化物半導体材料・デバイス」

△ [14a-502-3] MgO (100)基板上β-Ga₂O₃:Si (100)薄膜のヘテロエピタキシャル成長

〇若林 諒¹、服部 真依¹、吉松 公平¹、大友 明^1,2 (1.東工大物質理工学院、2.元素戦略)

キーワード：酸化ガリウム、PLD

β-Ga₂O₃は大きなバンドギャップを有することから，パワーデバイスや深紫外センサーへの応用が期待されている．β-Ga₂O₃のエピ成長においては主にα-Al₂O₃ (0001) 基板が用いられているが，大きな格子不整合・準安定相形成のため高品質化には高温条件が必要である．我々は低温条件での高品質β-Ga₂O₃:Si薄膜の作製に向け，より格子不整合が小さいMgO (100) 基板上へのエピ成長を検討した．本公演ではβ-Ga₂O₃:Si薄膜の結晶性と電気特性について報告する．