[14a-503-1~12] 15.4 III-V族窒化物結晶

[14a-503-11] Nラジカルビーム照射によるin-situ表面改質のInN成長への効果

〇(M1)藤田 諒一¹、Faizulsalihin bin Abas¹、Nur Liyana binti Zainol Abidin¹、毛利 真一郎¹、荒木 努¹、名西 憓之¹ (1.立命館大理工)

キーワード：InN、分子線エピタキシー、貫通転位

窒化物半導体の中で最も小さいバンドギャップ、大きな移動度を有するInNは、高速・高周波デバイスや熱電変換素子への応用が期待されている。しかし、InNのエピタキシャル成長用基板材料との大きな格子不整合により、InN結晶内に高密度の貫通転位が存在する。本研究では、in-situでのNラジカルビーム照射を行い、表面形状の変化や導入した点欠陥とのインタラクションによる転位密度低減への効果を検討した結果について報告する。