[14a-503-1~12] 15.4 III-V族窒化物結晶

[14a-503-5] 室温成長InGaNをチャネル層とした薄膜トランジスタの作製

〇中村 享平¹、小林 篤¹、伊藤 剛輝¹、ライ・ ケーシン¹、森田 眞理¹、上野 耕平¹、太田 実雄^1,2、徳本 有紀¹、藤岡 洋^1,3 (1.東大生研、2.JSTさきがけ、3.JST-ACCEL)

キーワード：InGaN