[14a-503-1~12] 15.4 III-V-group nitride crystals

[14a-503-7] Growth of Eu doped GaN nanocolumns grown by NH₃ molecular beam epitaxy

〇Kohei Ozaki¹, Hiroto Sekiguchi¹, Tomohiko Imanoshi¹, Keisuke Yamane¹, Hiroshi Okada^2,1, Katsumi Kishino³, Akihiro Wakahara¹ (1.Toyohashi Univ.Tech., 2.EIIRIS, 3.Sophia Univ.)

Keywords:GaN, nanocolumuns, Eu

Eu添加GaN(GaN:Eu)の更なる発光出力の増大に向けて，我々は貫通転位が含まれない自己形成GaNナノコラムを用いることを提案してきた．またNH₃-MBE法によるMg共添加をナノコラムにも適用すべく，本研究ではRF-MBE法によるGaNナノコラム上へのNH₃-MBE法によるGaN:Euナノコラムの成長を試みた．RF-MBE法を用いてGaNナノコラムを成長させた後，NH₃-MBE法を用いてGaN:Euナノコラムを成長させた．その結果，Eu起因のシャープな発光スペクトルが620nm付近に確認された．