[14a-503-1~12] 15.4 III-V族窒化物結晶

[14a-503-7] NH₃-MBE法を用いたEu添加GaNナノコラムの成長

〇尾崎 耕平¹、関口 寛人¹、今西 智彦¹、山根 啓輔¹、岡田 浩^2,1、岸野 克巳³、若原 昭浩¹ (1.豊橋技科大工、2.EIIRIS、3.上智大理工)

キーワード：GaN、ナノコラム、Eu

Eu添加GaN(GaN:Eu)の更なる発光出力の増大に向けて，我々は貫通転位が含まれない自己形成GaNナノコラムを用いることを提案してきた．またNH₃-MBE法によるMg共添加をナノコラムにも適用すべく，本研究ではRF-MBE法によるGaNナノコラム上へのNH₃-MBE法によるGaN:Euナノコラムの成長を試みた．RF-MBE法を用いてGaNナノコラムを成長させた後，NH₃-MBE法を用いてGaN:Euナノコラムを成長させた．その結果，Eu起因のシャープな発光スペクトルが620nm付近に確認された．