2017年第64回応用物理学会春季学術講演会

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一般セッション(口頭講演)

15 結晶工学 » 15.4 III-V族窒化物結晶

[14a-503-1~12] 15.4 III-V族窒化物結晶

2017年3月14日(火) 09:00 〜 12:15 503 (503)

荒木 努(立命館大)、太田 実雄(東大)

11:15 〜 11:30

[14a-503-9] AlNの原料交互供給MBE成長においてN*供給時に観察されたRHEED振動とその解釈

平井 和斗1、金子 光顕1、木本 恒暢1、須田 淳1 (1.京大院工)

キーワード:AlN、rf-MBE、layer-by-layer成長

原料交互供給MBE法を用いてドロップレットフリーAlN層の成長を試みていたところ、Al供給後のN*供給時にRHEED強度に振動が見られた。振動周期は1.9秒と一定で、Al供給量と同程度のN*を供給すると振動は止まり、その後N*を供給してもRHEED強度に変化はなかった。Alの供給量を変化させても同様であった。このことから、RHEED振動はAlNのlayer-by-layer成長によるものだと考え、振動周期から成長レートを求めるとN*供給レートと合致した。