[14p-211-1~17] 3.9 テラヘルツ全般

[14p-211-2] 石英基板上のInAs MOSHEMTによるテラヘルツ検波

〇久米 英司¹、石井 裕之²、Chang Wen-Hsin²、小倉 睦郎¹、金谷 晴一³、浅野 種正³、前田 辰郎² (1.アイアールスペック、2.産総研ナノエレ、3.九大シス情)

キーワード：テラヘルツ、MOSHEMT

InAs MOSHEMTを石英基板上に作製し、テラヘルツ波の検出を試みた。THz-GSGプローブを用いてテラヘルツ波(f=1.0 THz, -32 dBm)を直接入力し、MOSHEMTのドレイン電圧の応答を測定した。検波感度はゲートバイアスが0.4 V付近にピークを持ち、最大感度はおよそ63 V/Wであった。