[14p-213-1~14] 6.4 薄膜新材料

[14p-213-7] 基板バイアス印加スパッタ法における再結晶化現象とμmサイズVO₂結晶粒成長

〇松岡 耕平¹、アズハン ヌル― ハニス¹、沖村 邦雄¹ (1.東海大工)

キーワード：二酸化バナジウム

二酸化バナジウム(VO₂)は68℃付近で絶縁体-金属転移(IMT)を生じ抵抗値が4⁓5 桁にわたって変化する. 本研究では, 反応性スパッタにおいて高周波(rf)基板バイアス印加法を用いてAl₂O₃ (001)基板上にVO₂薄膜を堆積させた. その結果, 特定のrf基板バイアスにおいて結晶成長が促進され, μmサイズのVO₂結晶粒が観測された, 講演ではμmサイズVO₂の成長メカニズムについて発表する.