[14p-213-1~14] 6.4 Thin films and New materials

[14p-213-7] Occurrence of recrystallization phenomenon and the growth of μm-sized VO₂ grains by substrate biasing in reactive sputtering

〇Kohei Matsuoka¹, Nurul Hanis Azhan¹, Kunio Okimura¹ (1.Tokai Univ.)

Keywords:Vanadium dioxide

二酸化バナジウム(VO₂)は68℃付近で絶縁体-金属転移(IMT)を生じ抵抗値が4⁓5 桁にわたって変化する. 本研究では, 反応性スパッタにおいて高周波(rf)基板バイアス印加法を用いてAl₂O₃ (001)基板上にVO₂薄膜を堆積させた. その結果, 特定のrf基板バイアスにおいて結晶成長が促進され, μmサイズのVO₂結晶粒が観測された, 講演ではμmサイズVO₂の成長メカニズムについて発表する.