2017年第64回応用物理学会春季学術講演会

講演情報

一般セッション(口頭講演)

12 有機分子・バイオエレクトロニクス » 12.1 作製・構造制御

[14p-313-1~17] 12.1 作製・構造制御

2017年3月14日(火) 13:30 〜 18:00 313 (313+314)

長谷川 裕之(情通機構)、葛原 大軌(岩手大)

13:45 〜 14:00

[14p-313-2] ルブレン単結晶上の有機鉛ペロブスカイトのエピタキシャル成長

阿内 悠人1,2、宮寺 哲彦2、小金澤 智之3、近松 真之2、吉田 郵司2、矢口 裕之1 (1.埼玉大工、2.AIST、3.JASRI)

キーワード:ペロブスカイト、エピタキシャル成長、ルブレン

本研究では単結晶有機半導体上でペロブスカイト(PVS)結晶成長制御することを目的として、レーザー蒸着法によるCH3NH3PbI3のルブレン(RUB)単結晶上での成長様式を解析した。その結果、PVSとRUBは特定の方向に方位を揃えてエピタキシャル成長していることが分かった。得られたPVS結晶は平坦性が高いことが観察された。PVS結晶が約6.2Åのステップ構造であることから、layer-by-layer成長しているといえる。