[14p-313-1~17] 12.1 作製・構造制御

[14p-313-2] ルブレン単結晶上の有機鉛ペロブスカイトのエピタキシャル成長

〇阿内 悠人^1,2、宮寺 哲彦²、小金澤 智之³、近松 真之²、吉田 郵司²、矢口 裕之¹ (1.埼玉大工、2.AIST、3.JASRI)

キーワード：ペロブスカイト、エピタキシャル成長、ルブレン

本研究では単結晶有機半導体上でペロブスカイト(PVS)結晶成長制御することを目的として、レーザー蒸着法によるCH₃NH₃PbI₃のルブレン(RUB)単結晶上での成長様式を解析した。その結果、PVSとRUBは特定の方向に方位を揃えてエピタキシャル成長していることが分かった。得られたPVS結晶は平坦性が高いことが観察された。PVS結晶が約6.2Åのステップ構造であることから、layer-by-layer成長しているといえる。