[14p-315-1~15] 13.8 化合物及びパワー電子デバイス・プロセス技術

△ [14p-315-12] 広い禁止帯を持つ半導体の衝突電離過程における散乱内電界効果

〇(B)牧平 真太朗¹、森 伸也¹ (1.阪大工)

キーワード：散乱内電界効果、ワイドギャップ半導体、衝突電離

SiC, GaN, ダイヤモンド (C) などの広い禁止帯 (WBG) を持つ半導体では，絶縁破壊電界が数 MV/cmと高く，パワーデバイス応用に向けて，Siに代わる半導体材料として注目されている．こ の絶縁破壊電界を決定する主な要因は衝突電離過程と考えられている．しかし，数MV/cm程度の 印加電界のもとでは，散乱中に電子が加速される，散乱内電界効果(ICFE)が重要な役割を演じる と予想される．本研究では，WBG半導体の衝突電離確率にICFEが与える影響について調べた．