[14p-315-1~15] 13.8 Compound and power electron devices and process technology

△ [14p-315-15] Electron transport in InAs/high-k/low-k structures

〇Toshimasa Ui¹, Ryousuke Mori¹, Son Phuong Le¹, Keisei Ohtsuki¹, Yoshifumi Oshima¹, Toshi-kazu Suzuki¹ (1.JAIST)

Keywords:InAs, high-k insulator, oxygen vacancy donor

high-k絶縁体としてAl₂O₃/AlNを用いたInAs/high-k/low-k構造を作製し、InAsの電子輸送特性を調べた。その結果、界面ゆらぎ散乱の抑制が確認された。一方で、InAs/high-k界面近傍におけるクーロン散乱体の存在が示唆され、また、シート電子密度の増大が観測された。これらは、Al₂O₃中の酸素欠損ドナーから InAsへの変調ドーピングで説明される。