[14p-315-1~15] 13.8 化合物及びパワー電子デバイス・プロセス技術

△ [14p-315-15] InAs/high-k/low-k構造における電子輸送

〇宇井 利昌¹、森 涼介¹、Son Phuong Le¹、大槻 圭生¹、大島 義文¹、鈴木 寿一¹ (1.北陸先端大)

キーワード：InAs、high-k絶縁体、酸素欠損ドナー

high-k絶縁体としてAl₂O₃/AlNを用いたInAs/high-k/low-k構造を作製し、InAsの電子輸送特性を調べた。その結果、界面ゆらぎ散乱の抑制が確認された。一方で、InAs/high-k界面近傍におけるクーロン散乱体の存在が示唆され、また、シート電子密度の増大が観測された。これらは、Al₂O₃中の酸素欠損ドナーから InAsへの変調ドーピングで説明される。