[14p-316-1~16] 6.5 表面物理・真空

[14p-316-10] Si(100)上に成長させた白金シリサイドナノワイヤーの構造解析

〇鍵谷 浩行¹、高橋 一暉¹、木下 盛治朗¹、田畑 博史¹、久保 理¹、片山 光浩¹ (1.阪大工)

キーワード：ナノワイヤー

白金シリサイドナノワイヤー（Pt₂Si NW）は薄膜状Pt₂Si（正方晶）よりも同等以下の電気抵抗率であるという特殊な電気特性を持っている。Pt₂Si NWの原子構造解析は行われておらず、薄膜と同じ原子構造であるか否かは明らかになっていない。そこで本研究では、同軸型直衝突イオン散乱分光を用いてPt₂Si NWの原子構造解析を行った。Pt₂Si NWのPt由来の散乱強度の方位角依存性を測定し、正方晶Pt₂Siのシミュレーションと比較したところ良い一致が確認できた。