[14p-316-1~16] 6.5 表面物理・真空

[14p-316-15] ポテンシャル井戸中のブロッホ電子の有効質量増大の機構

〇武田 さくら¹、白澤 徹郎²、坂田 智裕³、Artoni Ang¹、高橋 敏男⁴、大門 寛¹、稲岡 毅⁵ (1.奈良先端大、2.産総研、3.電通大、4.学芸大、5.琉球大)

キーワード：量子化、サブバンド分散、有効質量増大

近年我々は、p型反転層中サブバンド分散を実測しサブバンドの面内有効質量がバルクバンドと比べて数倍増大していることを見出した。今回、この有効質量増大の機構を説明する定在波とブロッホ波の一般的な関係を新たに見出したので報告する。講演ではSi(001)p型反転層中サブバンド分散の実測と計算の結果を示す。 [100]方向はバルクシリコンでは有効質量が最も小さいが、量子化により[110]方向と同等となる。