[14p-316-1~16] 6.5 表面物理・真空

△ [14p-316-4] Si(110)上酸化膜の脱離過程の実時間計測

〇(PC)矢野 雅大¹、鈴木 翔太^1,2、魚住 雄輝^1,3、朝岡 秀人¹ (1.原機構先端研、2.茨大院理工、3.日立パワー)

キーワード：Si(110)、STM、実時間計測

Si(110)からの酸化膜脱離過程の微視的構造及び電子状態を実時間で計測した。酸化膜が脱離した領域の形状や拡大速度、ナノ突起の形成は表面再構成の有無に影響を受けた。また、この結果からSi(110)-16×2上を再構成ステップに沿ったSi原子の拡散が、それと直交する方向への拡散の10倍程度早いことを明らかにした。Si(110)上でナノワイヤの成長レートを見積もることを可能とする重要な知見である。