[14p-318-1~9] 15.5 IV族結晶，IV-IV族混晶

[14p-318-2] c面サファイア基板上Ge(111)薄膜結晶性の熱処理による変化

〇大武 史康¹、河口 大和²、伊藤 友樹^2,3、川島 知之²、鷲尾 勝由² (1.東北大工、2.東北大院工、3.学振特別研究員DC)

キーワード：ゲルマニウム、c面サファイア

原子ステップc面サファイア(α-Al₂O₃(001))基板上のGe(111)薄膜成長を検討し、Geの低温成長と高温成長を組み合わせる2段階成長により結晶性が向上することを報告した。本報告では、低温成長したGe薄膜の結晶性がその後の高温処理から受ける影響を検討した。