[14p-318-1~9] 15.5 Group IV crystals and alloys

[14p-318-4] Au film thickness dependence on low temperature Au induced lateral crystallization for amorphous Ge on insulating substrate

〇(BC)Takuya Sakai¹, Kusano Kinta¹, Takakura Kenichiro¹, Tsunoda Isao¹ (1.NIT;Kumamoto College)

Keywords:Metal Induced Crystallization, gold, Germanium

絶縁基板上の非晶質Ge薄膜のAu誘起横方向成長に及ぼす触媒Au膜厚の影響を調査した．その結果，触媒Au膜厚が10nm以下の領域では，300℃以下の低温熱処理で非晶質Ge薄膜のAu誘起横方向成長は引き起こされなかった．Au誘起横方向成長は触媒Auの拡散に起因した結晶成長法であるため，この現象は，Auパターン直下の非晶質Ge薄膜の結晶化に触媒Auが消費されたこと，加えて，結晶化に伴い触媒Auの拡散が阻害されたことに起因する．