[14p-318-1~9] 15.5 IV族結晶，IV-IV族混晶

[14p-318-4] 非晶質Ge薄膜/絶縁基板のAu誘起横方向成長に及ぼすAu膜厚効果

〇(BC)坂井 拓也¹、草野 欽太¹、高倉 健一郎¹、角田 功¹ (1.熊本高専)

キーワード：金属誘起固相成長、金、ゲルマニウム

絶縁基板上の非晶質Ge薄膜のAu誘起横方向成長に及ぼす触媒Au膜厚の影響を調査した．その結果，触媒Au膜厚が10nm以下の領域では，300℃以下の低温熱処理で非晶質Ge薄膜のAu誘起横方向成長は引き起こされなかった．Au誘起横方向成長は触媒Auの拡散に起因した結晶成長法であるため，この現象は，Auパターン直下の非晶質Ge薄膜の結晶化に触媒Auが消費されたこと，加えて，結晶化に伴い触媒Auの拡散が阻害されたことに起因する．