Effect of growth temperature on the photoluminescence properties of β-FeSi<sub>2</sub> films

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Oral presentation

13 Semiconductors » 13.9 Optical properties and light-emitting devices

[14p-411-1~14] 13.9 Optical properties and light-emitting devices

Tue. Mar 14, 2017 1:15 PM - 5:00 PM 411 (411)

Takashi Kunimoto(Tokushima Bunri Univ.), Haruki Fukada(Kanazawa Inst. of Tech.)

4:00 PM - 4:15 PM

〇Kensuke Akiyama^1,2, Yoshihisa Matsumoto¹, Hiroshi Funakubo² (1.Kanagawa Ind. Tech, 2.Tokyo Inst. Tech.)

Keywords:iron silicide semiconductor, photoluminescence

本研究では銀(Ag)コートしたSi基板上へのβ-FeSi₂薄膜の成長温度のPL発光特性への影響を調査し、as depositionでの室温(295K)でのPL発光が確認されたことを報告する。