[14p-411-1~14] 13.9 光物性・発光デバイス

[14p-411-11] β-FeSi₂薄膜のPL発光特性に及ぼす成長温度の影響

〇秋山 賢輔^1,2、松本 佳久¹、舟窪 浩² (1.神奈川産技セ、2.東工大物質理工)

キーワード：鉄シリサイド半導体、フォトルミネッセンス

本研究では銀(Ag)コートしたSi基板上へのβ-FeSi₂薄膜の成長温度のPL発光特性への影響を調査し、as depositionでの室温(295K)でのPL発光が確認されたことを報告する。