2017年第64回応用物理学会春季学術講演会

講演情報

一般セッション(口頭講演)

13 半導体 » 13.9 光物性・発光デバイス

[14p-411-1~14] 13.9 光物性・発光デバイス

2017年3月14日(火) 13:15 〜 17:00 411 (411)

國本 崇(徳島文理大)、深田 晴己(金沢工大)

16:45 〜 17:00

[14p-411-14] AlGaNのフォトキャパシタンス特性評価

大和 慎之介1、大井 琢矢1、大橋 隆宏2、白岩 佳子2、田邉 匡生1、鳥羽 隆一2、小山 裕1 (1.東北大工、2.東北大環境科学)

キーワード:光容量、AlGaN

近年、光エレクトロニクスへの応用が期待されているワイドギャップ半導体AlGaNの紫外光に対する光容量特性を評価することを目的とした。サファイア基板上に成長させたAlGaNウェハにXeランプから出た光をモノクロメーターで分光し、紫外領域で特定の波長を照射した場合の光容量を測定した。得られたデータから紫外光照射によって、AlGaN中で生じる現象を議論する。