[14p-411-1~14] 13.9 光物性・発光デバイス

[14p-411-14] AlGaNのフォトキャパシタンス特性評価

〇大和 慎之介¹、大井 琢矢¹、大橋 隆宏²、白岩 佳子²、田邉 匡生¹、鳥羽 隆一²、小山 裕¹ (1.東北大工、2.東北大環境科学)

キーワード：光容量、AlGaN

近年、光エレクトロニクスへの応用が期待されているワイドギャップ半導体AlGaNの紫外光に対する光容量特性を評価することを目的とした。サファイア基板上に成長させたAlGaNウェハにXeランプから出た光をモノクロメーターで分光し、紫外領域で特定の波長を照射した場合の光容量を測定した。得られたデータから紫外光照射によって、AlGaN中で生じる現象を議論する。