[14p-501-7~10] 10.4 半導体スピントロニクス・超伝導・強相関

[14p-501-10] 電圧印加高分解能光電子分光による高バルク絶縁性トポロジカル絶縁体Bi_2-xSb_xTe_3-ySe_yの仕事関数の決定

〇高根 大地¹、相馬 清吾^2,3、佐藤 宇史^1,3、高橋 隆^1,2,3、瀬川 耕司⁴、安藤 陽一⁵ (1.東北大院理、2.東北大WPI-AIMR、3.東北大CSRN、4.京都産大理、5.ケルン大)

キーワード：トポロジカル絶縁体、仕事関数

近年、高いバルク絶縁性をもつトポトロジカル絶縁体Bi_2-xSb_xTe_3-ySe_y(BSTS)が発見され、BSTSを用いた様々なトポロジカル絶縁体デバイスが作成されてきた。高効率なデバイスの作成にあたって物質の仕事関数を知ることは大変重要であるにもかかわらずBSTSを含むほとんどのトポロジカル絶縁体の仕事関数の測定はこれまで行われていない。そこで今回我々は電圧印加高分解能光電子分光を用いBSTSを含む様々なトポロジカル絶縁体の仕事関数を決定した。